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德國(guó)Hellma氟化鈣(CaF?)在半導(dǎo)體微光刻中作為關(guān)鍵光學(xué)材料,憑借其從深紫外到紅外的高寬帶透射率、低折射率、低光譜色散及優(yōu)異的激光耐久性,成為投影和照明光學(xué)中準(zhǔn)分子激光光學(xué)器件的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)材料,支撐7nm及以下制程芯片制造。

核心技術(shù)壁壘與質(zhì)量控制
單晶生長(zhǎng):布里奇曼法制備低缺陷、高均勻性單晶,氧/金屬雜質(zhì)≤1ppm,減少散射與吸收損耗。
精密加工:亞納米級(jí)表面粗糙度、無(wú)應(yīng)力拋光,控制雙折射與波前畸變。
激光耐久性:193/248nm準(zhǔn)分子激光長(zhǎng)期輻照(>109脈沖)無(wú)損傷,適配光刻機(jī)高產(chǎn)能需求。
定制能力:按NA、波長(zhǎng)、接口定制尺寸/取向/鍍膜,匹配光刻機(jī)設(shè)計(jì)。
在半導(dǎo)體微光刻中的應(yīng)用
投影和照明光學(xué):Hellma氟化鈣作為投影和照明光學(xué)中準(zhǔn)分子激光光學(xué)器件的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)材料,被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中的光刻機(jī)物鏡系統(tǒng)。其優(yōu)異的光學(xué)性能確保了光刻過(guò)程中激光的高效傳輸和精準(zhǔn)聚焦,從而實(shí)現(xiàn)了納米級(jí)芯片圖案的曝光。
深紫外光刻系統(tǒng):在193nm光刻機(jī)中,Hellma氟化鈣用于光刻物鏡,配合193nm準(zhǔn)分子激光實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的芯片圖案曝光。其低吸收與高均勻性保障了光刻分辨率,是45nm及以下節(jié)點(diǎn)制程的關(guān)鍵材料。
DUV激光器:Hellma氟化鈣還用于準(zhǔn)分子激光器(如ArF,波長(zhǎng)193nm)的輸出窗口,可承受高頻次、高強(qiáng)度激光照射,確保激光器的穩(wěn)定運(yùn)行和長(zhǎng)壽命。

供應(yīng)鏈與選型要點(diǎn)
供應(yīng)鏈定位:光刻級(jí)CaF?核心供應(yīng)商,供應(yīng)ASML等頭部設(shè)備商,高市場(chǎng)占比約35%。
選型建議:
193nmArFi選Lithotec®光刻級(jí)+增透膜,嚴(yán)控雙折射與表面缺陷。
248nm選標(biāo)準(zhǔn)光刻級(jí),平衡成本與性能。
真空窗口選低放氣率+抗輻射級(jí),適配腔體環(huán)境。
HellmaMaterials半成品的優(yōu)勢(shì):
材料尺寸的靈活性:為您的具體需求量身定制解決方案。
優(yōu)化性能:實(shí)現(xiàn)高的光學(xué)精度和效率。
可靠性:信任經(jīng)過(guò)驗(yàn)證且使用壽命長(zhǎng)的材料。
質(zhì)量控制:所有測(cè)量技術(shù)均在內(nèi)部進(jìn)行,包括激光實(shí)驗(yàn)室。